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RGW80TK65EGVC11是Rohm公司的一款高性能半导体IGBT，适用于各种电力电子应用。该器件采用TO3P封装，具有高耐压、大电流和低损耗的特点。 技术特点： 1. 650V耐压等级，能够承受更高的电压，减少电路的功耗。 2. 39A的额定电流，适用于需要大电流传输的场合，如逆变器、变频器等。 3. TO3PFM封装，具有更小的体积和更好的散热性能，适用于紧凑型设计。 应用方案： 1. 工业电源：RGW80TK65EGVC11可以用于工业电源设备的逆变器和变频器中，提高电源的效率和稳定

RGWX5TS65GC11是Rohm公司的一款高性能IGBT，采用TRENCH FLD工艺，具有高输入电流、低饱和电压、低功耗和低静态电流等优点。 技术特点： 1. 采用了TRENCH FLD工艺，提高了IGBT的电流容量和效率，同时也降低了芯片面积，降低了成本。 2. 采用TO247-6封装，具有高稳定性、高耐压和低热阻等优点，适用于各种电子设备中。 3. 采用了高纯度材料和先进的加工工艺，具有高可靠性、长寿命和良好的温度稳定性。 应用方案： 1. 适用于电源模块、逆变器、电机驱动等电子设备